Por que o nitreto de gálio é melhor que o silício?

Comparado com o silício, a vantagem do GaN se resume à eficiência energética. Como explicou GaN Systems, um fabricante profissional de nitreto de gálio:

"Todos os materiais semicondutores têm o chamado band gap. Esta é a faixa de energia na qual nenhum elétron pode existir em um sólido. Em suma, o band gap está relacionado à condutividade elétrica do material sólido. O band gap do nitreto de gálio é 3,4 eV, enquanto o do silício é 1,12 eV. O nitreto de gálio tem um intervalo de banda mais amplo, o que significa que pode suportar tensões e temperaturas mais altas do que o silício.

Outro fabricante de GaN, a Efficient Power Conversion Corporation, disse que a eficiência de orientação de elétrons do GaN é 1,000 vezes maior que a do silício, e seu custo de fabricação é menor.

Maior eficiência de band gap significa que a corrente pode passar pelos chips GaN mais rapidamente do que pelos chips de silício, o que pode levar a um poder de processamento mais rápido no futuro. Resumindo, os chips feitos de GaN serão mais rápidos, menores, mais eficientes em termos energéticos e (eventualmente) mais baratos do que os chips feitos de silício.

É previsível que você não verá facilmente muitos carregadores GaN antes que grandes fabricantes de hardware (como Apple e Samsung) comecem a incluí-los em novos computadores e smartphones.