O tempo de platô de Miller é quase zero (veja a Figura 3) e a perda total de comutação é reduzida em pelo menos 70%
Oct 19, 2022| O tempo de platô de Miller é quase zero (veja a Figura 3) e a perda total de comutação é reduzida em pelo menos 70%
Conforme mostrado na Tabela 1, com o mesmo RDS(ON), o nitreto de gálio tem uma capacitância parasita menor, e Ciss e Crss são 1/12 e 1/23 de Si CoolMOS, respectivamente, resultando em uma velocidade de comutação mais rápida. No braço de ponte rápida BTPPFC, o tempo de sobreposição de corrente e tensão diminui em mais de 88% (ver Figura 2). O tempo de platô de Miller é quase zero (veja a Figura 3) e a perda total de comutação é reduzida em pelo menos 70%.
O Coss do InnoGaN é menor e tem melhor linearidade (ver Figura 4). Quando Vds é baixo, o Coss do GaN é muito menor que o do Si MOS, e o Si terá um processo de mutação de inclinação. Pode-se ver na forma de onda do sistema que a perda de sobreposição de comutação do GaN é muito menor que a do Si MOS, e o Dv/dt do GaN no segmento t2-t3 é menor que o do Si MOS, então o O ruído EMI gerado também é menor.
