Transistor de efeito de campo

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Transistor de efeito de campo

O significado de “efeito de campo” é que o princípio de funcionamento deste transistor é baseado no efeito de campo elétrico do semicondutor.

Transistor de efeito de campo Um transistor que opera com base no princípio do efeito de campo. Os transistores de efeito de campo, por sua vez, contêm dois tipos principais: FETs de junção (JFETs) e FETs de semicondutores de óxido metálico (MOS-FETs). Ao contrário do BJT, os FETs são eletricamente condutores apenas por um tipo de portadora (portadoras majoritárias) e, portanto, também são chamados de transistores unipolares. Pertence a um dispositivo semicondutor controlado por tensão e tem as vantagens de alta resistência de entrada, baixo ruído, baixo consumo de energia, grande faixa dinâmica, fácil integração, sem quebra secundária e ampla área de trabalho segura.

O efeito de campo consiste em alterar a direção ou magnitude do campo elétrico aplicado perpendicularmente à superfície do semicondutor para controlar a densidade ou tipo de portadores majoritários na camada condutora semicondutora (canal). É uma corrente modulada em tensão no canal cuja corrente de operação é transportada por portadores majoritários no semicondutor. Tal transistor no qual apenas um tipo de portadora polar participa da condução também é chamado de transistor unipolar. Comparados aos transistores bipolares, os transistores de efeito de campo têm características de alta impedância de entrada, baixo ruído, alta frequência limite, baixo consumo de energia, processo de fabricação simples e boas características de temperatura. Eles são amplamente utilizados em vários circuitos amplificadores, circuitos digitais e circuitos de microondas. Espere. Transistores de efeito de campo semicondutores de óxido metálico 0- à base de silício (MOSFETs) e transistores de efeito de campo de barreira Schottky baseados em arsenieto de gálio (MESFETs) são os dois transistores de efeito de campo mais importantes. Eles são os dispositivos básicos dos circuitos integrados de ultra-alta velocidade MOS LSI e MES.